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氧化鎵單晶襯底片及外延片

提供日本NCT高品質(zhì)氧化鎵單晶襯底片及外延片

晶體生長設(shè)備

提供日本進(jìn)口晶體生長爐，可實(shí)現(xiàn)EFG倒模提拉法生長超寬禁帶單晶半導(dǎo)體材料

全自動(dòng)晶片倒角設(shè)備

提供日本進(jìn)口全自動(dòng)晶片倒角設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)更高精度的晶圓倒角要求

全自動(dòng)晶片減薄設(shè)備

提供日本進(jìn)口全自動(dòng)晶片減薄設(shè)備，可滿足客戶不同減薄需求的全自動(dòng)量產(chǎn)設(shè)備

關(guān)于我們

ABOUT US

?天津市萬德思諾國際貿(mào)易有限公司成立于2019年5月17日，公司秉承“引進(jìn)尖端技術(shù)、服務(wù)本土客戶”的理念，主要代理銷售日本及歐美等國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域（碳化硅、氮化鎵等）的先進(jìn)材料和尖端設(shè)備，致力于服務(wù)國內(nèi)各大高校、研究單位和半導(dǎo)體行業(yè)客戶。公司創(chuàng)始人核心團(tuán)隊(duì)成員均具有15年以上相關(guān)從業(yè)經(jīng)歷，特別是在寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)具有豐富的經(jīng)驗(yàn)和資源。

自公司成立以來團(tuán)隊(duì)開始積極布局和銷售第四代半導(dǎo)體領(lǐng)域（氧化鎵）的相關(guān)材料和設(shè)備，不斷整合行業(yè)技術(shù)資源并融合本公司的專業(yè)技術(shù)和售后團(tuán)隊(duì)，竭誠為每一位客戶提供優(yōu)質(zhì)的全產(chǎn)業(yè)化方案以及專業(yè)的技術(shù)支持和優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)。

萬德思諾致力于成為寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備及材料專業(yè)供應(yīng)商！

Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!

核心競(jìng)爭(zhēng)力

Core Competitiveness

核心技術(shù)

提供全球領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵材料和設(shè)備。
資源整合

深耕化合物集寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)，提供全產(chǎn)業(yè)鏈的材料和設(shè)備解決方案。
一站式服務(wù)

提供詳細(xì)的售前技術(shù)咨詢服務(wù)，可安排免費(fèi)的樣品測(cè)試。多樣化的交易方式，滿足不同客戶采購要求。提供設(shè)備的安裝、保養(yǎng)、維修、升級(jí)等一站式服務(wù)。
專業(yè)團(tuán)隊(duì)

公司研發(fā)人員長期從業(yè)于半導(dǎo)體行業(yè)，有豐富的設(shè)備使用、安裝、調(diào)試經(jīng)驗(yàn)，從專業(yè)角度為您提供專業(yè)服務(wù)。
成本優(yōu)勢(shì)

從技術(shù)方案到生產(chǎn)線運(yùn)營管理，公司有完整的科學(xué)的成本管控方案，從多角度為客戶打造最優(yōu)方案。

新聞動(dòng)態(tài)

News Center

2025-09-26 10:50:39

日本NCT氧化鎵研究課題入選日本防衛(wèi)裝備廳2025年度安全保障技術(shù)研究推進(jìn)制度

課題聚焦于高耐壓應(yīng)用的 β-Ga2O3 高純度厚膜外延襯底制備技術(shù)及器件外圍結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，力求實(shí)現(xiàn)耐壓 15 kV 的 β-Ga2O3 晶體管的工作驗(yàn)證。

2025-09-26 10:46:18

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室最新進(jìn)展：β銠合金氧化鎵p型導(dǎo)電的可行性研究

本研究證實(shí) β-(RhxGa1−x)2O3 合金實(shí)現(xiàn) p 型摻雜具有可行性，基于該材料構(gòu)建的 p-n 同質(zhì)結(jié)有望顯著拓展合金氧化物的應(yīng)用領(lǐng)域。

2025-09-26 10:38:16

【J.Semicond.】電子科技大學(xué)&武漢大學(xué)合作研究：氟等離子體與電熱退火協(xié)同調(diào)控Ni/β-Ga?O?肖特基接觸界面特性

揭示了氟等離子體處理降低肖特基勢(shì)壘的物理機(jī)制，提出并驗(yàn)證了電熱退火（ETA）作為一種局部選擇性退火技術(shù)，可高效修復(fù)界面缺陷并調(diào)控肖特基勢(shì)壘高度。

2025-09-26 10:30:05

廈門大學(xué)龍浩課題組在Ga?O?界面控制、表征及光電器件研究中取得系列進(jìn)展

廈門大學(xué)龍浩副教授課題組在 Ga2O3 光電器件的界面調(diào)控方面取得系列進(jìn)展，為進(jìn)一步理解 Ga2O3 界面機(jī)制提供思路。

2025-09-26 10:17:20

內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)：通過LPCVD與PECVD協(xié)同工藝制備β-Ga?O?薄膜，用于高靈敏、低劑量直接X射線探測(cè)

本文采用 LPCVD 和 PECVD 技術(shù)在 c 面藍(lán)寶石襯底上外延生長了 β-Ga2O3 薄膜，并制備了 MSM 型 X 射線探測(cè)器。

2025-09-26 10:07:53

浙江大學(xué)聯(lián)合浙大科創(chuàng)中心楊德仁院士的研究團(tuán)隊(duì)：鑄造法 β-Ga?O? (100) 面缺陷的電子特性：現(xiàn)象與機(jī)理

研究加深了對(duì) β-Ga2O3 襯底中缺陷誘導(dǎo)電子行為的理解，闡明了其對(duì)電學(xué)特性的影響，并為優(yōu)化晶體生長和提升功率器件性能提供了關(guān)鍵指導(dǎo)。